研究人员利用半导体材料中的固有缺陷来产生长波光

皇冠登三出租rent.22223388.com)是皇冠(正网)接入菜宝钱包的TRC20-USDT支付系统,为皇冠代理提供专业的网上运营管理系统。皇冠登三出租系统实现注册、充值、提现、客服等全自动化功能。采用的USDT匿名支付、阅后即焚的IM客服系统,让皇冠代理的运营更轻松更安全。

盖世汽车讯 据外媒报道,新加坡麻省理工学院研究与技术联盟(麻省理工学院在新加坡的研究机构SMART,Singapore-MIT Alliance for Research and Technology)低能电子系统跨学科研究小组的研究人员,与麻省理工学院、新加坡国立大学(National University of Singapore)和南洋理工大学(Nanyang Technological University)的合作者发现了一种新的方法,利用半导体材料中的固有缺陷来产生长波(红、橙、黄)光,其潜在应用包括商业光源和显示器内的直接发光器。与以前使用的方法相比,如使用荧光粉(phosphor)将一种颜色的光转换成另一种颜色,这项技术实现了进一步提升。

(图片来源:smart.mit)

氮化铟镓(InGaN)LED是一种基于第III族元素氮化物的发光二极管(LED),于20多年前(90年代)首次制造问世,此后演变得越来越小,同时越来越强劲、高效和耐用。如今,InGaN LED在众多工业和消费应用案例中随处可见,包括信号、光通信和数据存储;并且在高需求消费应用中发挥重要作用,如固态照明、电视机、笔记本电脑、移动设备、增强现实(AR)和虚拟现实(VR)解决方案等。

,

皇冠管理端www.9cx.net)实时更新发布最新最快最有效的皇冠管理端网址,包括皇冠管理端手机网址,皇冠管理端备用网址,皇冠管理端最新网址,皇冠管理端足球网址,皇冠管理端网址大全。

,

20多年来,对这类电子设备的需求不断增长,由此推动相关研究发展,以获得更高的半导体光输出、可靠性、寿命和多功能性,进而产生对能发出不同颜色光的LED的需求。在现代LED中,通常使用InGaN材料来产生紫光和蓝光,而另一种半导体磷化铝镓铟(AlGaInP)用于产生红、橙和黄光。这是由于InGaN在红色和琥珀色光谱中表现不佳,因为需要更高含量的铟,而导致效率降低。此外,这种具有相当高铟浓度的InGaN LED,很难使用传统的半导体结构制造。因此,实现全固态白光发光设备(需要三种基色光),这一目标仍未达成。

为了应对这些挑战,SMART的研究人员开发了一种实用的方法,利用InGaN材料中预先存在的缺陷,制备具有明显更高铟浓度的InGaN量子点。在这一过程中,材料中自然存在的位错(dislocations)导致V形坑合并,从而直接形成富铟量子点,即发射较长波长光的材料岛状物。在常规硅基底上生长这些结构,进一步消除对具有一定结构或非常规基底的需要。研究人员还对InGaN量子点进行高空间分辨率的成分绘图,首次从视觉上确认其形态。除了形成量子点,另一种固有的晶体缺陷――堆积层错成核,能够进一步促进发出更长的波长。

主要研究人员Jing-Yang Chung表示:“多年来,该领域的研究人员一直试图解决InGaN量子阱结构中的固有缺陷带来的各种挑战。在新方法中,我们设计了一个纳米坑缺陷,以构建InGaN量子点直接生长的平台。此项工作证明使用硅基底制造新富铟结构的可行性,这不仅解决了目前长波InGaN光源效率低的挑战,也缓解了基底价格昂贵的问题。”

通过这种方式,在克服InGaN产生红、橙、黄光时效率降低这一问题上,SMART的发现迈出了重要一步。未来,这项工作可能有助于开发由单一材料组成的微型LED阵列。研究人员表示,这项研究对环境也有影响。例如,这一突破有助于加速淘汰白炽灯等非固态光源,甚至可以淘汰目前的磷涂层蓝色InGaN LED,采用全固态混色方案,从而显著降低全球能源消耗。此外,这项工作还可能对半导体和电子行业产生更广泛的影响。这种新方法遵循标准工业制造程序,可以广泛应用。

,

澳5官网www.a55555.net)是澳洲幸运5彩票官方网站,开放澳洲幸运5彩票会员开户、澳洲幸运5彩票代理开户、澳洲幸运5彩票线上投注、澳洲幸运5实时开奖等服务的平台。

添加回复:

◎欢迎参与讨论,请在这里发表您的看法、交流您的观点。